IGBT的主要參數及IGBT的優缺點
IGBT的主要參數及IGBT的優缺點
今天小編帶你一起了解一下IGBT的主要參數及IGBT的優缺點，希望能對你有所幫助！
一、IGBT的主要參數
1、集電極-發射極額定電壓UCES是IGBT在截止狀態下集電極與發射極之間能夠承受的最大電壓，一般UCES小于或等于器件的雪崩擊穿電壓。
2、柵極-發射極額定電壓UGE是IGBT柵極與發射極之間允許施加的最大電壓，通常為20V。柵極的電壓信號控制IGBT的導通和關斷，其電壓不可超過UGE。
3、集電極額定電流IC是IGBT在飽和導通狀態下，允許持續通過的最大電流。
4、集電極-發射極飽和電壓UCE是IGBT在飽和導通狀態下，集電極與發射極之間的電壓降。該值越小，則管子的功率損耗越小。
5、開關頻率在IGBT的使用說明書中，開關頻率是以開通時間tON、下降時間t1和關斷時間tOFF給出的，根據這些參數可估算出IGBT的開關頻率，一般可達30～40kHz。在變頻器中，實際使用的載波頻率大多在15kHz以下。
二、IGBT的優缺點
優點：
1、具有更高的電壓和電流處理能力。
2、極高的輸入阻抗。
3、可以使用非常低的電壓切換非常高的電流。4、電壓控制裝置，即它沒有輸入電流和低輸入損耗。
5、柵極驅動電路簡單且便宜，降低了柵極驅動的要求
6、通過施加正電壓可以很容易地打開它，通過施加零電壓或稍微負電壓可以很容易地關閉它。
7、具有非常低的導通電阻。
8、具有高電流密度，使其能夠具有更小的芯片尺寸。
9、具有比 BJT 和 MOS 管更高的功率增益。
10、具有比 BJT 更高的開關速度。
11、可以使用低控制電壓切換高電流電平。
12、雙極性質，增強了傳導性。
13、安全可靠。
缺點：
1、開關速度低于 MOS管。
2、因為是單向的，在沒有附加電路的情況下無法處理AC波形。
3、不能阻擋更高的反向電壓。
4、比 BJT 和 MOS管價格更高。
5、類似于晶閘管的P-N-P-N結構，因此它存在鎖存問題
以上是關于IGBT的主要參數及IGBT優缺點的相關內容，希望能您你有所幫助！
想要了解關于IGBT功率模塊清洗的相關內容，請訪問我們的“IGBT功率模塊清洗”專題了解相關產品與應用 ！
合明科技是一家電子水基清洗劑 環保清洗劑生產制造商,其產品覆蓋電子加工過程整個領域。歡迎使用合明科技水基清洗劑產品！
【閱讀提示】
以上為本公司一些經驗的累積，因工藝問題內容廣泛，沒有面面俱到，只對常見問題作分析，隨著電子產業的不斷更新換代，新的工藝問題也不斷出現，本公司自成立以來不斷的追求產品的創新，做到與時俱進，熟悉各種生產復雜工藝，能為各種客戶提供全方位的工藝、設備、材料的清洗解決方案支持。
【免責聲明】
1. 以上文章內容僅供讀者參閱，具體操作應咨詢技術工程師等；
2. 內容為作者個人觀點， 并不代表本網站贊同其觀點和對其真實性負責，本網站只提供參考并不構成投資及應用建議。本網站上部分文章為轉載，并不用于商業目的，如有涉及侵權等，請及時告知我們，我們會盡快處理；
3. 除了“轉載”之文章，本網站所刊原創內容之著作權屬于合明科技網站所有，未經本站之同意或授權，任何人不得以任何形式重制、轉載、散布、引用、變更、播送或出版該內容之全部或局部，亦不得有其他任何違反本站著作權之行為。“轉載”的文章若要轉載，請先取得原文出處和作者的同意授權；
4. 本網站擁有對此聲明的最終解釋權。
