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先進封裝混合鍵合解決方案與先進封裝芯片清洗介紹

發布日期:2023-06-27 發布者:合明科技 瀏覽次數:4343
混合鍵合可以是晶圓到晶圓(wafer-to-wafer)、裸片到晶圓(die-to-wafer)或裸片到裸片(die-to-die)。其主要優勢在于,它允許 3D 器件堆疊以實現垂直縮放和比其他芯片堆疊技術更高的互連密度。它的另一個特點是細間距鍵合導致更高的互連密度。這也增加了系統帶寬和功率效率。速度也有所提高,因為傳統的凸點被消除,而是使用直接的銅對銅鍵合。這形成了非常緊密的互連,并且由于焊盤是芯片結構的一部分,因此提高了鍵合強度和可靠性。

當電子封裝行業發展到三維封裝時,微凸塊通過使用裸片上的小銅凸塊作為晶圓級封裝的一種形式來提供芯片之間的垂直互連。凸塊的尺寸范圍從 40 μm 間距到最終縮小到 20 μm 或 10 μm 間距。但是,這就是問題所在;縮小超過 10μm 變得非常具有挑戰性,工程師們正在轉向一種新的解決方案來繼續縮小尺寸?;旌湘I合通過完全避免使用凸塊為 10 μm 及以下間距提供解決方案,而是使用小型銅對銅連接來連接封裝中的裸片。它提供卓越的互連密度,支持類似 3D 的封裝和高級內存立方體。

“混合鍵合是一種永久性鍵合,它將介電鍵合 (SiOx) 與嵌入金屬 (Cu) 相結合以形成互連。它在整個行業被稱為直接鍵合互連 (DBI) ?;旌湘I合擴展了在鍵合界面中嵌入金屬焊盤的融合鍵合,允許晶圓的面對面連接?!盉rewerScience強調。

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因為混合鍵合通過緊密間隔的銅焊盤垂直連接裸片到晶圓(D2W) 或晶圓到晶圓 (W2W)。雖然 W2W 混合鍵合已在圖像傳感領域投入生產多年,但業界仍大力推動 D2W 混合鍵合的發展。這種發展將進一步實現異構集成,它提供了一種強大而靈活的方式來直接連接不同功能、尺寸和設計規則的芯片。

與其他鍵合技術相比,混合鍵合具有許多優勢,包括:允許高級 3D 設備堆疊、最高 I/O實現10 μm以下的鍵合間距、更高的內存密度、擴展帶寬、增加功率、提高速度效率、消除顛簸的需要,在沒有功率和信號損失的情況下提高性能。

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先進封裝芯片助焊劑清洗劑:

半導體芯片封裝過程中通常會使用助焊劑和錫膏等作為焊接輔料,這些輔料在焊接過程或多或少都會有部分殘留物,還包括制程中沾污的指印、汗液、角質和塵埃等污染物。同時,半導體組裝了鋁、銅、鉑、鎳等敏感金屬和油墨字符、電磁碳膜和特殊標簽等相當脆弱的功能材料。這些敏感金屬和特殊功能材料對清洗劑的兼容性提出了很高的要求。

合明半水基清洗工藝解決方案,可在清洗芯片封裝基板的焊接殘留物和污垢的同時去除金屬界面高溫氧化膜,保障下一道工序的金屬界面結合強度;對芯片半導體基材、金屬材料擁有優良的材料兼容性,清洗后易于用水漂洗干凈。

歡迎使用合明科技半水基清洗劑W3300!

以上便是芯片封裝基板清洗,封裝基板的主要結構和生產技術的介紹,希望可以幫到您!

 


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以上為本公司一些經驗的累積,因工藝問題內容廣泛,沒有面面俱到,只對常見問題作分析,隨著電子產業的不斷更新換代,新的工藝問題也不斷出現,本公司自成立以來不斷的追求產品的創新,做到與時俱進,熟悉各種生產復雜工藝,能為各種客戶提供全方位的工藝、設備、材料的清洗解決方案支持。

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