一、WLP晶圓級封裝VS傳統封裝

在傳統晶圓封裝中，是將成品晶圓切割成單個芯片，然后再進行黏合封裝。不同于傳統封裝工藝，晶圓級封裝是在芯片還在晶圓上的時候就對芯片進行封裝，保護層可以黏接在晶圓的頂部或底部，然后連接電路，再將晶圓切成單個芯片。

在傳統晶圓封裝中，是將成品晶圓切割成單個芯片，然后再進行黏合封裝。而晶圓級封裝（WLP）是在芯片還在晶圓上的時候就對芯片進行封裝，保護層可以黏接在晶圓的頂部或底部，然后連接電路，再將晶圓切成單個芯片。

相比于傳統封裝，晶圓級封裝具有以下優點：

1. 封裝尺寸小：由于沒有引線、鍵合和塑膠工藝，封裝無需向芯片外擴展，使得 WLP 的封裝尺寸幾乎等于芯片尺寸。

2. 高傳輸速度：與傳統金屬引線產品相比，WLP 一般有較短的連接線路，在高效能要求如高頻下，會有較好的表現。

3. 高密度連接：WLP 可運用數組式連接，芯片和電路板之間連接不限制于芯片四周，提高單位面積的連接密度。

4. 生產周期短：WLP 從芯片制造到、封裝到成品的整個過程中，中間環節大大減少，生產效率高，周期縮短很多。

5. 工藝成本低：WLP 是在硅片層面上完成封裝測試的，以批量化的生產方式達到成本最小化的目標。WLP 的成本取決于每個硅片上合格芯片的數量，芯片設計尺寸減小和硅片尺寸增大的發展趨勢使得單個器件封裝的成本相應地減少。WLP 可充分利用晶圓制造設備，生產設施費用低。

晶圓級封裝的工藝流程

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水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣，通電后發生電化學遷移，形成樹枝狀結構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質在所有污染物中的占據主導，從產品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質量。

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