在MEMS（微機電系統）工藝中，清洗劑的選擇需根據污染物類型、材料兼容性和工藝階段進行綜合考量。以下是主要應用的清洗劑類型及相關技術要點：

一、濕法清洗劑

1. SC-1與SC-2溶液

• SC-1（氨水-雙氧水-水混合液）：用于去除有機物和顆粒物，同時可輕微氧化硅表面。

• SC-2（鹽酸-雙氧水-水混合液）：針對金屬離子（如Fe、Al）的去除，適用于金屬化工藝后的清洗。

2. 水基清洗劑

• 由表面活性劑和添加劑組成，適用于敏感金屬（如銅、鋁）的清洗，兼容MEMS中常見的金屬層和聚合物材料。

• 典型應用：芯片焊后助焊劑殘留、光刻膠去除，如UNIBRIGHT系列合明科技清洗劑可清除顆粒物、氧化物，且形成保護層防止二次污染。

二、干法清洗劑

1. 等離子體清洗劑

• 通過氧/氬等離子體去除有機物和微顆粒，適用于高精度結構（如懸臂梁、空腔）的無損傷清洗。

• 優勢：避免液體殘留，適合復雜三維結構的MEMS器件。

2. 激光/紫外線清洗

• 用于局部污染物清除，如光刻膠殘留或特定區域的氧化層，對熱敏感材料（如聚合物）影響較小。

三、特殊功能清洗劑

1. 水基清洗劑

• 如UNIBRIGHT合明科技水基清洗劑，專為浸沒式工藝設計，可去除助焊劑殘留并激活銅表面，適用于MEMS封裝中的引線鍵合前處理。

2. 混合溶劑清洗劑

• 結合有機溶劑與酸性/堿性溶液，用于同時處理有機污染物（如光刻膠）和無機鹽類污漬，如RCA清洗流程中的組合應用。

四、輔助清洗技術

1. 超聲波清洗

• 搭配水基或有機溶劑（如醇類），通過空化效應增強清洗效果，適用于去除微米級顆粒。

2. 去離子水漂洗

• 作為濕法清洗后的終漂步驟，確保化學試劑完全去除，避免離子污染。

五、選型與工藝考量

• 材料兼容性：需驗證清洗劑對MEMS材料（如硅、二氧化硅、金屬薄膜）的腐蝕性，例如水基清洗劑對鋁、銅的兼容性優于強酸。

• 環保與安全：優先選擇低毒性、低揮發性的水基或中性清洗劑，減少工藝廢液處理難度。

• 工藝集成：在線噴淋設備需匹配低泡型清洗劑，并配置濃度監測系統以維持穩定性。