關(guān)于先進(jìn)封裝技術(shù)推動(dòng)Chiplet采用2.5D/3D集成的最新進(jìn)展，結(jié)合行業(yè)動(dòng)態(tài)和技術(shù)突破，總結(jié)如下：

一、技術(shù)突破與核心進(jìn)展

1. 高密度互連與異構(gòu)集成
   業(yè)界已實(shí)現(xiàn)基于2.5D硅中介層（如臺(tái)積電CoWoS-S）和3D混合鍵合（Hybrid Bonding）的異構(gòu)集成方案，通過硅通孔（TSV）和微凸點(diǎn)技術(shù)實(shí)現(xiàn)芯粒間的高帶寬、低延遲互連，滿足AI/HPC芯片的算力需求。甬矽電子開發(fā)的多芯片扇出異構(gòu)封裝（HDFO MCM）和2.5D Chiplet技術(shù)已進(jìn)入量產(chǎn)階段。

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3. 封裝工藝創(chuàng)新

• 硅橋技術(shù)：如Intel EMIB、臺(tái)積電CoWoS-L，通過嵌入式硅橋?qū)崿F(xiàn)芯粒間局部高密度互連，降低整體封裝復(fù)雜度。

• 晶圓級(jí)封裝：采用扇出型封裝（InFO、eWLB）減少傳統(tǒng)基板依賴，提升集成密度和成本效率。

4. 標(biāo)準(zhǔn)化與接口技術(shù)
   芯原股份等企業(yè)已推出兼容UCIe/BoW標(biāo)準(zhǔn)的物理層接口設(shè)計(jì)，解決芯粒間互連協(xié)議統(tǒng)一問題，加速生態(tài)構(gòu)建。

二、典型應(yīng)用與商業(yè)化案例

1. AI芯片與高性能計(jì)算

• AMD EPYC處理器、NVIDIA GPU采用多芯粒MCM設(shè)計(jì)，結(jié)合臺(tái)積電5nm/7nm工藝優(yōu)化成本與性能。

• 甬矽電子為AI芯片提供2.5D CoWos封裝方案，集成算力芯粒與高帶寬存儲(chǔ)（HBM）。

2. 汽車與數(shù)據(jù)中心
   芯原股份通過Chiplet技術(shù)開發(fā)車規(guī)級(jí)自動(dòng)駕駛芯片，整合GPGPU、NPU等異構(gòu)模塊，支持智能駕艙和激光雷達(dá)應(yīng)用。

三、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同與生態(tài)發(fā)展

1. 設(shè)備與材料升級(jí)
   上海微電子交付2.5D/3D先進(jìn)封裝光刻機(jī)，支持HBM和AI芯片制造。日月光等封測(cè)廠擴(kuò)大Hybrid Bonding產(chǎn)能，應(yīng)對(duì)HBM供不應(yīng)求趨勢(shì)。

2. 跨行業(yè)合作
   國際大廠（臺(tái)積電、三星）與國內(nèi)企業(yè)（甬矽電子、芯原）聯(lián)合開發(fā)定制化封裝方案，推動(dòng)Chiplet在數(shù)據(jù)中心、元宇宙等場(chǎng)景落地。

四、國內(nèi)進(jìn)展與突破

1. 政策與資本支持
   國家自然科學(xué)基金委設(shè)立專項(xiàng)支持Chiplet技術(shù)研發(fā)，加速國產(chǎn)化進(jìn)程。

2. 技術(shù)商業(yè)化

• 甬矽電子建成自動(dòng)化晶圓級(jí)封裝產(chǎn)線，實(shí)現(xiàn)FC-BGA、2.5D Chiplet量產(chǎn)。

• 芯原股份完成基于Chiplet的高端AP芯片設(shè)計(jì)，采用MCM封裝整合SoC與內(nèi)存模塊。

五、挑戰(zhàn)與未來方向

1. 技術(shù)瓶頸
   高密度互連的熱管理、信號(hào)完整性仍是難點(diǎn)，需開發(fā)新型散熱材料和低功耗互連協(xié)議。

2. 成本與標(biāo)準(zhǔn)化
   2.5D/3D封裝成本仍高于傳統(tǒng)方案，需通過工藝優(yōu)化和UCIe等標(biāo)準(zhǔn)普及降低成本。

總結(jié)：2.5D/3D集成已成為Chiplet主流方案，技術(shù)成熟度顯著提升，尤其在AI芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模化應(yīng)用。未來需進(jìn)一步突破3D堆疊熱效應(yīng)、跨工藝節(jié)點(diǎn)兼容性等難題，推動(dòng)Chiplet從高端向消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)滲透。

芯片清洗劑選擇：

水基清洗的工藝和設(shè)備配置選擇對(duì)清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會(huì)作為一個(gè)長(zhǎng)期的使用和運(yùn)行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環(huán)境中的濕氣，通電后發(fā)生電化學(xué)遷移，形成樹枝狀結(jié)構(gòu)體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長(zhǎng)枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內(nèi)的浮點(diǎn)、灰塵、塵埃等，這些污染物會(huì)導(dǎo)致焊點(diǎn)質(zhì)量降低、焊接時(shí)焊點(diǎn)拉尖、產(chǎn)生氣孔、短路等等多種不良現(xiàn)象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關(guān)注的呢？助焊劑或錫膏普遍應(yīng)用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質(zhì)在所有污染物中的占據(jù)主導(dǎo)，從產(chǎn)品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產(chǎn)品質(zhì)量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質(zhì)引發(fā)接觸電阻增大，嚴(yán)重者導(dǎo)致開路失效，因此焊后必須進(jìn)行嚴(yán)格的清洗，才能保障電路板的質(zhì)量。

合明科技研發(fā)的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

推薦使用合明科技水基清洗劑產(chǎn)品。