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常見半導體材料英文名稱及其特性參數


在半導體日常交流中,常有材料英文名稱誤用發生。例如SiC,誤讀為Silicon Carbon,但這樣譯作中文應為“碳硅”,而不是“碳化硅”。對應碳化硅,體現“化”字的英文應為Silicon Carbide。本文總結常見半導體材料的中英文,并列出主要半導體材料的特性參數,以便查閱。

常見的構成單質半導體或化合物半導體化學元素如圖1所示。

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圖1 常見半導體化學元素

圖1化學元素的中英文對照表如圖2所示。

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圖2 構成半導體材料的元素名稱

由圖2中元素單獨或與其他元素組合構成的半導體材料名稱及其主要特性參數如圖3所示。

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圖3 半導體材料名稱及其主要特性參數
第一代半導體材料:硅(Si)主要應用于大規模集成電路中,目前99%以上的集成電路和95%的半導體器件都由Si材料制作;諸(Ge)主要應用于低壓、低頻、中功率晶體管及光電探測器中。
第二代半導體材料:適用于制作高速、高頻、大功率以及發光電子器件、是制作高性能微波、毫米波器件及發光器件的優良材料,廣泛應用于衛星通訊、移動通訊、光通信、GPS導航等領域。
第二代半導體材料:具備應用于光電器件、微波器件和電子電力器件的先天性能優勢,廣泛應用于新能源汽車、消費電子、光伏、風電、半導體照明、導彈和衛星等領域。

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