作為新能源汽車電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件，新能源汽車產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為功率器件需求增加最快的領(lǐng)域，并且將進一步保持增長到2025年將成為需求量最大的領(lǐng)域。

2022年，新能源汽車的單車功率半導(dǎo)體價值量達到458.7美元，約為傳統(tǒng)燃油車的5倍。顯而易見，在全球芯片細分市場中，功率器件市場對我國芯片產(chǎn)業(yè)的重要性。

近年來，包括不少車企在內(nèi)，都在紛紛發(fā)力功率半導(dǎo)體，如比亞迪半導(dǎo)體是國內(nèi)自主可控的車規(guī)級IGBT龍頭廠商。

功率器件主要是用于對電力設(shè)備進行電能變換和電路控制，如變頻、變相、變壓、逆變、整流、增幅、開關(guān)等。具體產(chǎn)品包括有二極管、晶閘管、IGBT、MOSFET等，其中，MOSFET和IGBT為最重要的兩個分支，適用范圍最廣，合計的市場規(guī)模占到功率器件整體的50%以上。

作為新能源汽車電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件，新能源汽車產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為功率器件需求增加最快的領(lǐng)域，并且將進一步保持增長到2025年將成為需求量最大的領(lǐng)域。

2022年，新能源汽車的單車功率半導(dǎo)體價值量達到458.7美元，約為傳統(tǒng)燃油車的5倍。顯而易見，在全球芯片細分市場中，功率器件市場對我國芯片產(chǎn)業(yè)的重要性。

近年來，包括不少車企在內(nèi)，都在紛紛發(fā)力功率半導(dǎo)體，如比亞迪半導(dǎo)體是國內(nèi)自主可控的車規(guī)級IGBT龍頭廠商。

功率器件主要是用于對電力設(shè)備進行電能變換和電路控制，如變頻、變相、變壓、逆變、整流、增幅、開關(guān)等。具體產(chǎn)品包括有二極管、晶閘管、IGBT、MOSFET等，其中，MOSFET和IGBT為最重要的兩個分支，適用范圍最廣，合計的市場規(guī)模占到功率器件整體的50%以上。

功率器件的分類及對比

通過多年的工藝積累、大力投入，在傳統(tǒng)的二極管、晶閘管等功率器件上我國企業(yè)已經(jīng)具備與國際品牌競爭的實力。同時，在技術(shù)壁壘較高的IGBT、MOSFET等領(lǐng)域亦有所成就。隨著國家政策支持，產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈日趨完善，人才水平逐漸提高，加之我國擁有全球最大的功率器件消費市場，在多重因素的推動下，伴隨國內(nèi)功率器件行業(yè)進口替代的發(fā)展趨勢，中國本土企業(yè)有望進一步向高端功率器件領(lǐng)域邁進。

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，廣泛應(yīng)用于逆變器、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域，從小家電、數(shù)碼產(chǎn)品，到航空航天、高鐵，再到新能源汽車、智能電網(wǎng)等市場都會大量使用IGBT，尤其在新興產(chǎn)業(yè)上，作為新能源汽車上電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件，以及光伏逆變器的核心器件等等，IGBT市場將迎來黃金發(fā)展期。

IGBT是我國重大科技突破專項中的重點扶持項目，被稱為電力電子行業(yè)里的CPU。我國IGBT產(chǎn)業(yè)起步較晚，目前市場主要被國外產(chǎn)品壟斷，未來進口替代空間巨大。

紹興中芯集成是目前國內(nèi)少數(shù)提供車規(guī)級IGBT芯片的晶圓代工企業(yè)之一。主要產(chǎn)品包括有，用于新能源汽車電控系統(tǒng)的750V到1200V的IGBT和用于工業(yè)控制的600V到1700V的IGBT都已大規(guī)模量產(chǎn)；用于智能電網(wǎng)的超高壓3300V和4500V的 IGBT實現(xiàn)了進口替代。

根據(jù)Yole統(tǒng)計，2020年全球IGBT市場規(guī)模為54億美元，預(yù)計2026年將達到84億美元，年均復(fù)合增長率為7.6%。其中，2020年我國IGBT市場規(guī)模為21億美元，約占全球的39%，為第一大的IGBT消費市場。

IGBT功率器件清洗

為應(yīng)對能源危機和生態(tài)環(huán)境惡化等問題，世界各國均在大力發(fā)展新能源汽車、高壓直流輸電等新興應(yīng)用，促進了大功率電力電子變流裝置的廣泛應(yīng)用。大功率變流裝置的可靠性對這些應(yīng)用而言十分重要。裝置的可靠性與其核心器件IGBT密切相關(guān)。

目前，大量的IGBT仍在采用傳統(tǒng)的正溴丙烷等溶劑清洗清洗，隨著對環(huán)保的管控和對產(chǎn)品可靠性的要求不斷提高，原有的傳統(tǒng)溶劑清洗已不能滿足IGBT清洗。對此，合明提出新型的IGBT清洗方案。

合明科技半水基清洗工藝解決方案，采用合明科技專利配方，可在清洗IGBT凹槽內(nèi)存在大量的錫膏殘留的同時去除金屬界面高溫氧化膜，更含有保護芯片獨特的材料；配方材料親水性強，清洗后易于用水漂洗干凈。

歡迎使用合明科技半水基清洗劑清洗IGBT功率器件。

以上便是IGBT功率器件清洗劑廠,IGBT功率器件的DCB襯底功能介紹，希望可以幫到您！

合明科技運用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國產(chǎn)自主提供強有力的支持。

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