半導體制造中金屬污染的測量技術

半導體制造中金屬污染的測量技術分為兩類：

1、在線測量技術：在晶圓上直接測量，無需任何樣品制備；

2、離線測量技術：測量前需樣品制備，前處理涉及在實驗室環境中進行。

表1. 金屬污染在線測量技術的關鍵參數

EDX : Energy Dispersive X-ray Spectroscopy（能量色散X射線光譜）

SPV :  Surface Photo Voltage（表面光電壓）

TRXF : Total Reflection X-ray Fluorescence （全反射X射線熒光光譜）

表2. 金屬污染離線測量技術的關鍵參數（I）

IC : Ion Chromatography （離子色譜）

AAS: Atomic Absorption Spectroscopy （原子吸收光譜）

ICP-MS : Inductively Coupled Plasma Mass Spectroscopy （電感耦合等離子體質譜）

VPD-TXRF : Vapour Phase Decomposition TXRF （氣相分解-全反射X射線熒光光譜）

VPD-ICP-MS : Vapour Phase Decomposition ICP-MS （氣相分解-電感耦合等離子體質譜）

表3. 金屬污染離線測量技術的關鍵參數（II）

SIMS : Secondary Ion Mass Spectroscopy（二次離子質譜）

XPS : X-ray Photoelectron Spectroscopy（X射線光電子能譜）

Auger : Auger electron spectroscopy（俄歇電子能譜）

除在線和離線監測劃分之外，按照測量原理，可將測量金屬污染的技術分為以下兩個分支：一是直接測量晶圓表面的金屬污染物化學濃度的技術，二是間接測量體硅中金屬污染引起的電活動的壽命檢測技術。當預計金屬污染物會沉積在晶圓表面時，首選前一種方法，而后一種方法則適用于涉及到體硅中的金屬污染擴散的熱處理工藝。

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