碳化硅功率模塊是使用碳化硅半導(dǎo)體作為開(kāi)關(guān)的功率模塊。 

碳化硅功率模塊用于轉(zhuǎn)換電能，轉(zhuǎn)換效率高 — 功率是指電流和電壓的乘積。碳化硅半導(dǎo)體帶隙寬，用于 MOSFET 中時(shí)，開(kāi)關(guān)損耗極低，因此相較于普通的硅器件，可允許更高的開(kāi)關(guān)頻率。同時(shí)，與傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體相比，碳化硅半導(dǎo)體能夠在更高的溫度和更高的電壓下工作。

大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。

由IGBT的尾電流和FRD的恢復(fù)電流引起的較大的開(kāi)關(guān)損耗，通過(guò)改用SiC功率模塊可以明顯減少，因此具有以下效果：

1. 開(kāi)關(guān)損耗的降低，可以帶來(lái)電源效率的改善和散熱部件的簡(jiǎn)化
   （例：散熱片的小型化，水冷/強(qiáng)制風(fēng)冷的自然風(fēng)冷化）

2. 工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化
   （例：電抗器或電容等的小型化）

主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。

現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個(gè)模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類(lèi)型的模塊。

分為由SiC MOSFET + SiC SBD構(gòu)成的類(lèi)型和只由SiC MOSFET構(gòu)成的類(lèi)型兩種，可根據(jù)用途進(jìn)行選擇。

SiC模塊功率半導(dǎo)體器件清洗：

針對(duì)各類(lèi)半導(dǎo)體不同的封裝工藝如功率器件QFN，為保證產(chǎn)品的可靠性，合明科技研發(fā)多款自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)專利清洗劑，針對(duì)不同工藝及應(yīng)用的半導(dǎo)體封裝需要的精密清洗要求，合明科技在水基清洗方面開(kāi)發(fā)了較為完整的水基系列產(chǎn)品，精細(xì)化對(duì)應(yīng)涵蓋從半導(dǎo)體封裝到PCBA組件終端，包括有水基清洗劑和半水基清洗劑，堿性水基清洗劑和中性水基清洗劑等。具體表現(xiàn)在，在同等的清洗力的情況下，合明科技的兼容性較佳，兼容的材料更為廣泛;在同等的兼容性下，合明科技的功率器件QFN清洗劑清洗的錫膏種類(lèi)更多(測(cè)試過(guò)的錫膏品種有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌;測(cè)試過(guò)的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分)，清洗速度更快，離子殘留低、干凈度更好。

合明科技專注電子制程精密清洗20多年經(jīng)驗(yàn)，在水基清洗劑方面頗有心得，包括油墨水基清洗劑，環(huán)保清洗劑，半導(dǎo)體芯片封裝水基清洗劑等數(shù)十款產(chǎn)品，多年來(lái)受到無(wú)數(shù)客戶的青睞。我們有強(qiáng)大的售前技術(shù)指導(dǎo)和最貼心的服務(wù)，水基清洗，選擇合科技，決不會(huì)讓您失望！

合明科技運(yùn)用自身原創(chuàng)的產(chǎn)品技術(shù)，滿足芯片封裝工藝制程清洗的高難度技術(shù)要求，打破國(guó)外廠商在行業(yè)中的壟斷地位，為芯片封裝材料全面國(guó)產(chǎn)自主提供強(qiáng)有力的支持。

以上便是功率器件的材料的演進(jìn)與功率器件電子芯片清洗介紹介紹，希望可以幫到您！