先進封裝技術與傳統封裝技術的主要區別

一、技術層面

1. ?封裝方式?

• 傳統封裝采用DIP、SOP、QFP等引線框架結構，通過引線鍵合實現芯片與基板的連接?12。

• 先進封裝則使用堆疊封裝（如3D/2.5D）、系統級封裝（SiP）、倒裝芯片（FC）等技術，實現更高密度的集成?13。

2. ?連接技術?

• 傳統封裝依賴引線鍵合（Wire Bonding），存在信號傳輸速度慢、密度低的局限性?12。

• 先進封裝采用硅通孔（TSV）、熱壓鍵合、混合鍵合（Hybrid Bonding）等高速高密度互連技術，顯著提升電氣性能和集成度?13。

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二、性能與可靠性

1. ?集成度與尺寸?

• 傳統封裝集成度較低，封裝尺寸較大；先進封裝通過芯片堆疊和異質集成，可在更小空間內實現多芯片互聯，突破“面積墻”限制?13。

2. ?功耗與性能?

• 傳統封裝因引線電阻和寄生效應導致功耗較高，性能提升有限?12。

• 先進封裝通過優化布局和短距離互連（如混合鍵合），降低功耗并提升信號傳輸速度?36。

3. ?可靠性?

• 先進封裝采用嵌入式封裝、超薄晶圓減薄工藝（如臨時鍵合/解鍵合）等技術，在散熱、機械支撐和抗濕氣敏感性方面表現更優?67。

三、應用場景

• ?傳統封裝?：適用于低成本、大功率器件（如工業設備、基礎電子產品），依賴成熟工藝和較低成本維持市場空間?27。

• ?先進封裝?：廣泛應用于智能手機、AI芯片、HBM存儲器等高端領域，滿足高算力、高帶寬需求，并支持多物理場融合（如傳感、存儲、計算集成）?13。

四、工藝復雜度與設備需求

• 傳統封裝工藝較簡單，主要涉及切割、引線鍵合和表面貼裝，對設備精度要求較低?27。

• 先進封裝需復雜工藝，如晶圓減薄至10μm以下、混合鍵合（要求超高對準精度和表面光滑度），以及新型基板/材料（如微細化焊球），設備投入和研發難度顯著更高?36。

五、發展趨勢

• 傳統封裝仍在改進（如優化散熱和濕氣防護），但市場份額逐漸縮小?28。

• 先進封裝向更高密度（如混合鍵合占比提升）、異質集成和多功能融合方向發展，預計2030年相關設備市場規模將超200億人民幣?36。

通過上述對比可見，兩種技術路線的核心差異在于?集成密度、性能潛力?和?應用場景適配性?，而先進封裝正成為后摩爾時代突破芯片性能瓶頸的關鍵路徑?

先進芯片封裝清洗介紹

·         合明科技研發的水基清洗劑配合合適的清洗工藝能為芯片封裝前提供潔凈的界面條件。

·         水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

·         污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣，通電后發生電化學遷移，形成樹枝狀結構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。

·         這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質在所有污染物中的占據主導，從產品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質量。

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