功率模塊封裝工藝技術流程可分為傳統封裝工藝、先進封裝工藝和特殊工藝優化三大類，具體流程及技術特點如下：

一、傳統封裝工藝流程

1. 前道工序

• 晶圓減薄與切割：通過機械或化學方法將硅片減薄至50-150μm，再用劃片機切割成單個芯片。

• 裝片（Die Attach）：將芯片粘接到引線框架或DBC基板上，使用銀膠、導電膠或焊膏，需控制粘結層厚度以降低熱阻。

• 鍵合（Wire Bonding）：用金線或鋁線連接芯片電極與引線框架，傳統工藝采用超聲波焊接，寄生電感較大。

2. 后道工序

• 塑封（Molding）：用環氧樹脂或液態硅膠包封芯片，保護內部結構并增強機械強度。

• 電鍍與切筋：對引線框架進行鍍錫處理（防氧化），再切割塑封體并整形引腳。

• 測試與老化：通過高低溫循環、功率循環測試篩選出高可靠性產品。

二、先進封裝工藝技術

1. 燒結銀互連技術

• 用銀膏填充芯片與基板間縫隙，高溫燒結形成低電阻、高導熱的連接，適用于高功率密度模塊（如SiC器件）。

2. 雙面散熱技術

• 在芯片上下表面設置散熱路徑（如DBC基板+金屬底板），結合燒結銀互連，降低結溫30%以上。

3. 無引線互連（Wireless Interconnection）

• 采用銅導線直接焊接（如DLB結構）或壓焊（如SKiN結構），減少寄生電感，提升高頻性能。

4. 3D/2.5D封裝

• 3D封裝：通過金屬凸塊或緊壓工藝垂直堆疊芯片，厚度<5mm，適用于高集成度模塊。

• 2.5D封裝：使用LTCC轉接板實現多芯片并聯，優化電流分布。

三、特殊工藝優化

1. 液冷散熱

• 在模塊內部集成微流道，通過冷卻液帶走熱量，適用于高功率密度場景（如電動汽車逆變器）。

2. 電磁兼容（EMC）設計

• 采用屏蔽層、優化布局減少電磁輻射，或使用共模電感抑制干擾。

3. 銀燒結焊接

• 替代傳統錫焊，銀燒結工藝熱阻降低50%，耐溫達300℃，提升長期可靠性。

四、應用場景對比

總結

功率模塊封裝需根據應用場景平衡散熱效率、電氣性能和成本。傳統工藝適合中小功率場景，而先進工藝（如燒結銀、雙面散熱）是高功率密度和高溫環境的核心解決方案。未來趨勢將向高集成度（如SiP）、低損耗（銀燒結）和智能化（集成傳感器）方向發展。

功率模塊芯片清洗劑選擇：

水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要，一旦選定，就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。

污染物有多種，可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣，通電后發生電化學遷移，形成樹枝狀結構體，造成低電阻通路，破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層，在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物，還有粒狀污染物，例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等，這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。

這么多污染物，到底哪些才是最備受關注的呢？助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中，它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分，焊后必然存在熱改性生成物，這些物質在所有污染物中的占據主導，從產品失效情況來而言，焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素，離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降，松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大，嚴重者導致開路失效，因此焊后必須進行嚴格的清洗，才能保障電路板的質量。

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