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硅光芯片將微電子與光子學技術融合,以其高傳輸速率、低功耗和高集成度的特點,正在成為光通信、數據中心、人工智能等領域的核心技術之一。下面我將為你分析硅光芯片的封裝流程及其核心市場應用。
硅光芯片技術通過在硅基材料上集成光學元件與電子元件,顯著提升了數據傳輸效率并降低了功耗。其封裝流程涉及多學科交叉工藝,技術壁壘高;而在市場應用方面,硅光芯片正成為驅動AIGC、5G/6G、量子信息等領域發展的關鍵力量,未來幾年全球市場預計將保持高速增長。
硅光芯片的封裝是實現其功能的關鍵環節,技術復雜且需要多學科協作。典型的封裝流程包含以下核心環節,不同技術路線會有調整和側重:
深圳市扇芯集成半導體有限公司申請的一項專利展示了硅光芯片的封裝方法,其主要步驟包括:
開料:準備基板材料。
臨時鍵合:將芯片暫時固定于載體。
塑封:用環氧樹脂等材料保護芯片。
研磨:使芯片厚度均勻化。
解鍵合:從載體上取下芯片。
涂布、曝光、顯影:完成光刻工藝,定義線路圖形。
鉆通孔、濺射:形成垂直互連和種子層。
圖形轉移、圖形電鍍:增加線路金屬厚度。
退膜、差分蝕刻:去除多余材料,精修線路。
二次扇出線路、阻焊、表面處理:完成外部連接界面制作。
電測、切分:進行電氣測試并將晶圓切割成單個芯片。
倒裝焊、植錫球:將芯片與下一級封裝(如PCB)互連。
此扇出型封裝技術直接在硅光芯片上實現層間銅互連與表面線路重構,顯著縮短了信號傳輸距離,提高了封裝密度,克服了傳統wire bonding工藝的局限性。
硅光芯片封裝需要同時處理光、電、熱三大信號界面,并保證其長期可靠性,因此衍生出多種特殊技術和挑戰。
氣密封裝 | 保護對環境敏感的MEMS光學元件 | 通過金屬Bonding方法制作晶圓級密封蓋(Sealing Cap),為懸臂波導等元件戴上“帽子” | 密封性要求高、良率控制(報道良率近90%)、成本控制 |
異質集成 | 實現不同材料(如Si/InP)的功能集成 | Juniper/Aurrion工藝:先制作硅光無源器件,將III-V族材料鍵合在硅晶圓上,移除襯底后制作III-V器件 | 不同材料熱膨脹系數匹配、界面缺陷控制、工藝復雜度高 |
共封裝光學(CPO) | 將光引擎與電芯片(ASIC)緊密集成 | 利用Flip-chip、2.5D/3D集成技術將光芯片、MCU和各種ASIC芯片封裝在同一個PCB襯底上,支持回流焊 | 高密度集成帶來的散熱、測試和可維修性挑戰 |
硅光芯片憑借其性能優勢,正在多個高速增長的市場中扮演關鍵角色。
這是驅動硅光芯片發展的最強勁引擎。AI大模型訓練和推理需要海量數據在計算單元間高速流動,硅光芯片是突破傳統電互連帶寬和功耗瓶頸的理想方案。
高速光模塊:400G/800G/1.6T光模塊已成為大型數據中心標配,硅光技術因其高集成度和成本優勢成為主流方案。中際旭創自主研發的硅光芯片已實現批量應用和大規模出貨,其1.6T光模塊也在2025年下半年進入持續量產階段。
LPO方案:線性驅動可插拔光學方案(LPO)因其低功耗、低延時特性,在短距離AI集群中受到青睞。新易盛的800G LPO方案已通過英偉達認證,功耗降低30%,并獲得Meta的訂單。
CPO技術:共封裝光學(CPO)將光引擎與交換芯片/ASIC緊密封裝,是未來突破帶寬和功耗墻的關鍵路徑。多家廠商正積極布局,例如華工科技是國內華為昇騰920B服務器的唯一國產硅光供應商。
包括電信骨干網、5G/6G前傳/中傳/回傳以及光纖接入等場景,對光芯片的可靠性、速率和成本要求苛刻。
5G基礎設施:25G/50G光芯片廣泛應用于5G基站。
光纖接入:10G PON乃至下一代50G PON技術持續推動光芯片升級。
核心路由器與傳輸網:100G/200G及更高速率的相干光通信技術依賴于高性能磷化銦(InP)或硅光芯片。
光計算:用光子進行矩陣運算、神經形態計算,有望突破傳統AI計算的能效和速度極限。仕佳光子的硅光CW光源、MPO連接器已進入“流星一號”光計算芯片的配套體系。
車載激光雷達:高功率VCSEL陣列是車載激光雷達的核心光源。長光華芯的905nm車規VCSEL已給華為、蔚來等車企供貨。
根據QYResearch的調研數據,2024年全球高速光芯片市場規模約為26.78億美元,預計到2031年將達到63.80億美元,2025-2031期間的年復合增長率(CAGR)為13.2%。市場的增長主要受AI算力需求、光通信迭代加速以及國產替代邏輯的推動。
全球市場參與者眾多,競爭激烈。下表梳理了部分核心企業及其技術亮點:
公司名稱 | 核心業務聚焦 | 技術亮點 / 市場地位 | 相關情報來源 |
中際旭創 | 硅光+CPO | 800G全球市占率領先,自研硅光芯片已批量出貨,1.6T模塊量產中 | 公司公告,行業報道 |
新易盛 | 硅光+LPO | 800G LPO通過英偉達認證,功耗低30%;硅光晶圓廠建設中 | 行業報道 |
華工科技 | 硅光+CPO | 國內首款單波200G硅光芯片;1.6T CPO模塊在研;華為昇騰服務器硅光供應商 | 行業報道 |
光迅科技 | 光芯片 | 國內少數具備10G~400G全系列自研光芯片量產能力的企業之一;400G硅光模塊已批量 | 行業報道 |
仕佳光子 | 光芯片及器件 | PLC分路器芯片全球市占率第二;硅光CW光源進入光計算芯片配套 | 行業報道 |
Intel/SiPh | 硅光技術 | 行業早期推動者之一,技術積累深厚 | 通用知識 (未直接提及) |
Juniper/Aurrion | 異質集成 | 掌握InP與Si異質集成技術,實現單片集成收發器;推出集成化Opto-ASIC概念 | 技術文獻 |
注:此表僅基于搜索結果中的信息列舉部分企業,不作為任何投資建議。
技術融合與持續創新:硅光技術與CPO、LPO、Lidar、光計算等更多領域結合。3D集成、異質集成(如Si/InP)、新材料(如鈮酸鋰薄膜、TFLN)的應用將是提升性能的關鍵。
標準化與生態建設:產業鏈協同至關重要。中國國家信息光電子創新中心已發布全國產化12寸硅光全流程套件,首次實現了從設計、制造、測試到封裝工藝的全流程標準化,將有力支撐全國產硅光芯片的大規模量產和生態建設。
成本控制與規模化量產:隨著工藝成熟、良率提升和標準化推進,硅光芯片的成本優勢將進一步凸顯,從而加速其在更廣闊市場的普及。
國產替代與供應鏈安全:在全球科技產業格局變化的背景下,實現光芯片的自主可控已成為重要戰略方向。國內企業正從芯片設計、制造、封裝到測試全鏈條發力。
技術迭代風險:光子集成技術路線仍在快速發展,可能存在技術替代風險。
市場需求波動:下游資本開支(如云廠商)的波動可能影響短期需求。
商業化進程:部分前沿技術(如光計算)仍處早期,商業化落地時間和規模存在不確定性。
產業鏈協同:高度復雜的封裝和集成需要芯片設計、制造、封測、系統廠商深度協作,挑戰巨大。
國際競爭與地緣政治:全球競爭激烈,國際貿易環境可能存在不確定性因素。
希望以上分析能幫助你全面了解硅光芯片的封裝流程和市場應用
水基清洗的工藝和設備配置選擇對清洗精密器件尤其重要,一旦選定,就會作為一個長期的使用和運行方式。水基清洗劑必須滿足清洗、漂洗、干燥的全工藝流程。
污染物有多種,可歸納為離子型和非離子型兩大類。離子型污染物接觸到環境中的濕氣,通電后發生電化學遷移,形成樹枝狀結構體,造成低電阻通路,破壞了電路板功能。非離子型污染物可穿透PC B 的絕緣層,在PCB板表層下生長枝晶。除了離子型和非離子型污染物,還有粒狀污染物,例如焊料球、焊料槽內的浮點、灰塵、塵埃等,這些污染物會導致焊點質量降低、焊接時焊點拉尖、產生氣孔、短路等等多種不良現象。
這么多污染物,到底哪些才是最備受關注的呢?助焊劑或錫膏普遍應用于回流焊和波峰焊工藝中,它們主要由溶劑、潤濕劑、樹脂、緩蝕劑和活化劑等多種成分,焊后必然存在熱改性生成物,這些物質在所有污染物中的占據主導,從產品失效情況來而言,焊后殘余物是影響產品質量最主要的影響因素,離子型殘留物易引起電遷移使絕緣電阻下降,松香樹脂殘留物易吸附灰塵或雜質引發接觸電阻增大,嚴重者導致開路失效,因此焊后必須進行嚴格的清洗,才能保障電路板的質量。
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