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硅片清洗中烘干過程對硅片表面顆粒的影響
硅片表面顆粒污染會造成的危害包括:影響器件工藝良品率而造成的制造成本、影響器件性能導致了器件性能的失常、影響器件的可靠性等等，所以硅片表面顆粒必須清洗干凈才能進入下一道工序。
今天合明科技小編給大家分享的是硅片清洗中烘干過程對硅片表面顆粒的影響，希望能對您有所幫助！
硅片清洗中烘干過程對硅片表面顆粒的影響
在硅片清洗工藝中，有一個重要的影響因素是烘干機，烘干機的影響條件主要是甩干時的轉速以及烘干的時間，為了探究硅片清洗中烘干過程對硅片表面顆粒的影響，小編通過實際的實驗來加以驗證和說明。將清洗出來的的硅片放入烘干機，并對數據進行統計分析。實驗數據出來過后要進行以下分析：
1、甩干時的轉速與表面顆粒的關系：
從上面圖表可以看出，轉速在2000轉/分以下時，由于甩水效果差，出現的顆粒問題是表較嚴重的，顆粒數量多就會對芯片的的質量產生較大的威脅，于是生產中并不可取。而3000轉/分~4500轉/分以上的產生的影響就可以忽略。而大于5000轉/分由于速度過快，會出現碎片的問題，從而導致顆粒的污染。
2、烘干時間與表面顆粒的關系：
由圖示可以看出，烘干時間對表面顆粒的影響還是比較小的，都在顆粒硅片的表面 面積都在0.06以下，可以得出烘干時間對表面顆粒沒有直接影響。
以上是關于硅片清洗中烘干過程對硅片表面顆粒的影響的全部內容了，希望能對您有所幫助！
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